Półprzewodniki

Innowacyjna addytywna metoda pozwalająca uzyskać pożądane wzory w ramach jednoetapowego procesu z submikronową precyzją

Producenci urządzeń z branży półprzewodników szukają alternatywnych rozwiązań, które pozwoliłyby na zastąpienie fotolitografii metodą, która jest prostsza i tańsza, a jednocześnie zapewnia najwyższą precyzję. 

Jest to proces subtraktywny stosowany do uzyskania pożądanej geometrii. Pozwala on na przenoszenie kształtów z szablonu/ maski na podłoże za pomocą światła. Główną wadą fotolitografii jest jej złożoność i wieloetapowe podejście. Proces ten jest również drogi, a konieczność maskowania ogranicza jego wszechstronność. Fotolitografia wymaga zarówno niezwykle czystego podłoża, jak i idealnych warunków temperaturowych, wolnych od wszelkich zanieczyszczeń, cieczy i czynników niebezpiecznych dla środowiska. Może być stosowana do wytwarzania odpowiednich wzorów wyłącznie na płaskich powierzchniach.

PROBLEM

Najbardziej popularna technologia dedykowana dla sektora półprzewodników – fotolitografia:

  • technika wysoce złożona
  • droga i mało uniwersalna
  • wymaga maski do uzyskania pożądanych wzorów
  • wymaga zarówno niezwykle czystego podłoża, jak i idealnych warunków temperaturowych, wolnych od wszelkich zanieczyszczeń, cieczy i czynników niebezpiecznych dla środowiska
  • do wytworzenia efektywnych wzorów może być stosowana wyłącznie na płaskich powierzchniach

ROZWIĄZANIE

Spółka XTPL opracowała innowacyjną głowicę drukującą i dedykowane nanotusze umożliwiające ultraprecyzyjną depozycję i uzyskiwanie zaprojektowanych nanostruktur do różnych zastosowań w sektorze półprzewodników. Rozwiązanie to pozwoli na uzyskanie struktur w skali mikrometrycznej (1–100 µm) wymaganych przez większość firm działających na rynku półprzewodników. 

Metoda XTPL pozwala na dodawanie materiału w celu uzyskania pożądanych wzorów w ramach jednoetapowego procesu z niespotykaną dotąd submikronową precyzją i prostotą. Nasza przełomowa technologia gwarantuje wszechstronność, ponieważ nie wymaga specjalnych warunków zewnętrznych i może być wykorzystywana na większości podłoży, w tym na podłożach nierównych. W odróżnieniu od subtraktywnej metody fotolitograficznej, będącej obecnie rynkowym standardem, addytywna metoda XTPL jest pozbawiona złożoności. Rozwiązania XTPL uwzględnią wszystkie wymagania nowoczesnego sektora półprzewodników: wysoką przepustowość, miniaturyzację wielkości plamki, ultraprecyzję, kontrolę nad chropowatością krawędzi, eliminację kosztownego maskowania, zmniejszenie zużycia materiału i odpadów materiałowych, zmniejszenie złożoności procesu, skrócenie czas produkcji i zmniejszenie całkowitych kosztów. W połączeniu z nanotuszami XTPL dostosowanymi do sektora półprzewodników, nasza technologia może znaleźć zastosowanie jako alternatywa dla fotolitografii w różnych podsektorach branży półprzewodników.

KLUCZOWE KOMPETENCJE

POTWIERDZENIE KONCEPCJI

 

Obraz SEM wydrukowanych równoległych linii o szerokości ok 3 µm i odległości między liniami 5 µm

 

Obraz SEM równoległych linii wydrukowanych z zaprojektowaną długością i położeniem przerwy. Drukowane linie mają szerokość 6 µm, natomiast odległość między nimi wynosi 50 µm.

 

Obraz SEM wydrukowanego wzoru o szerokości 4 µm

 

Obraz SEM wzoru logotypu XTPL złożonego z mikrokropek wydeponowanych na szkle. Kropki obecnie dostępne na rynku mają zazwyczaj około 50 µm, minimum to 20 µm – podczas gdy XTPL osiąga obecnie kropki o średnicy 1 µm i planuje zejść nawet poniżej tej granicy.

Obraz z mikroskopu optycznego linii drukowanych z prędkością od 1 do 200 mm/s. Szerokość linii zmienia się od 5 µm do 1,5 µm. Odległość między liniami wynosi 12 µm.